SK海力士以265亿美元规模的ADR登陆美股，创下相关发行纪录，二级市场给出的显著溢价，直白地反映了资本对AI存储赛道的狂热。

　　但是存储如此狂热之下，高价的HBM等高端存储还能维持多久？

　　DigiTimes最新发布的一份行业报告，再度将高端存储的涨价预期推到台前。

　　受AI需求激增与产能瓶颈双重推动，HBM价格到2027年有望翻倍，下一代HBM4单价或从2026年下半年的2美元/千兆比特，冲高至4至5美元甚至更高。

　　当下HBM价格本就处于历史高位，这一轮HBM涨价，从根源上是制造环节的物理极限决定的。HBM4的生产周期长达四到六个月，初始良率远低于成熟DRAM产品，产能爬坡速度天然受限。

　　产业中的核心矛盾在于，同等容量的HBM，耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍。换句话说，同一条产线，转产HBM就意味着产出数量的直接缩水，或者说同样产能的晶圆做HBM成本就会更高。没办法物理层面就框死了高端存储的产能天花板，而且这样的现实也让扩产的边际成本远高于传统内存。

　　比产能总量瓶颈更影响价格的，是供给端的锁仓。

　　当前全球三大HBM生产商三星电子、SK海力士与美光科技，正密集与头部AI客户签订三到五年的长期供应协议，提前锁定绝大多数产能。按照报告预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将彻底无法流向小型买家。

　　这就形成了一个特殊的市场格局。三大厂总产能或许在增长，但公开市场可流通的货源反而持续收紧。对未签订长单的下游厂商而言，拿货难度会持续上升，现货市场的溢价会被不断推高，三大厂依靠长单价格就会成为整个市场的价格底托。市场普遍认为高利润会驱动厂商快速转产HBM，最终让价格回落。

　　这就低估了人性。价格高是三大厂非常希望看到并且希望长期维持的，这样三大厂就能通过更低的投入获得更高的资本回报。所以明面上韩国政府和大厂都叫着要大举投入扩产，实际落实到真正的动作上反倒雷声大雨点小。

　　甚至这些存储大厂还会有可能联起手来限制出货量，造成市场短缺的现象。这在历史上已经不是第一次这么干了。

　　对厂商而言，如果把现在DDR5等产线调整产线转产HBM，需要承担良率波动、工艺改造的风险，如果HBM不能提供比DDR5更高的单位产能收益，转产就不具备经济合理性。

　　这也变相给HBM定价划下了一道刚性底线，就相当于其溢价必须高到足以覆盖转产的机会成本，否则厂商宁可维持现有产线结构。

　　这种产能分配的经济权衡，是这一轮涨价周期中最容易被忽略的深层逻辑。

　　基于以上这些因素约束，HBM会不会继续涨价就非常明显了。

　　今年高端存储继续涨价是确定性趋势。尤其是下半年HBM4进入量产阶段，工艺升级带来的成本上升、良率爬坡阶段的产能损耗，都会直接推动单价跳升，2美元涨到4-5美元的价格跨度并非夸大。

　　而且高价格局至少会延续到2027年之后。行业也还是会有变量，若科技巨头的AI基础设施支出出现大幅收缩，确实会直接影响HBM的价格。但从目前科技大厂的资本支出计划看，到2027年AI硬件的根本性供应短缺都难以扭转。